Memoria Interna

Unidad 6: Arquitectura y Organización de computadoras •Subsistema de Memoria •Organización de Memoria Principal

Bibliografía: William Stallings Organización y Arquitectura de computadores 5ta. Edition. Editorial Pearson Educación.-

•Memorias •Conceptualmente sencillas •Presentan la mas amplia diversidad de tipos, tecnología, estructura, prestaciones y coste •Ninguna tecnología es óptima para satisfacer las necesidades de memoria •Un computador esta equipado con una jerarquía de memorias: •Algunas internas y otras externas ( accesibles por módulos de entrada/salida)

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Características de los sistemas de memorias Ubicación

Prestaciones

Procesador

Tiempo de acceso

Interna (principal)

Tiempo de ciclo

Externa (secundaria)

Velocidad de transferencia

Capacidad

Dispositivo físico

Tamaño de la palabra

Semiconductor

Numero de palabras

Soporte magnético

Unidad de transferencia

Soporte óptico

Palabra

Magneto-óptico

Bloque

Características físicas

Método de acceso

Volátil/no volátil

Acceso secuencial

Borrable/no borrable

Acceso directo

Organización

Acceso aleatorio Acceso asociativo

Ubicación • El termino ubicación indica si la memoria es interna o externa al computador. • La memoria interna generalmente se relaciona con la memoria principal. • Otras formas de memoria internas: – Memoria del procesador. – Memoria de la Unidad de Control. – Memoria cachè

• Memorias externas. Discos, cintas, etc.

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Capacidad • Para memorias internas se expresa normalmente en términos de bytes (1 bytes = 8 bits) o de palabras. • Longitudes comunes son; 8, 16, 32 bits. • La capacidad de las memorias externas se suele expresar en bytes.

Unidad de transferencia • Para memorias internas, la unidad de transferencia es igual al numero de líneas de entrada/salida de datos del módulo de memoria. • Gralmente es igual a la palabra, pero suele ser >, por ej. 64,128 o 256 bits. • Conceptos relacionados con la memoria interna: – Palabra: es la unidad “natural” de organización de la memoria, suele coincidir con el numero de bits utilizados para representar números y con la longitud de las instrucciones. Existen numerosas excepciones.

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Unidad de transferencia (2) – Unidades direccionables: en algunos sistemas la unidad es la palabra. Sin embargo muchos de ellos permiten direccionar a nivel de bytes. – La relación entre la longitud A de una dirección y el numero N de unidades direccionables es 2A = N – Unidad de transferencia: para la memoria principal, es el numero de bits que se leen o escriben en memoria a la vez. – No tiene porque coincidir con una palabra o con una unidad direccionable. – Para memoria externa, los datos se transfieren en unidades mas grandes llamadas bloques.

Métodos de acceso (1) • Acceso secuencial: la memoria se organiza en unidades llamadas registros. El acceso debe realizarse con una secuencia lineal especifica. Ej. Cinta • Acceso directo: Tiene asociado un mecanismo de lectura-escritura. • Los bloques individuales o registros tienen una dirección única basada en su dirección física. Se accede directamente a una vecindad dada, seguido de una búsqueda secuencial, hasta alcanzar la posición final. Ej. Discos.

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Método de acceso (2) • Acceso aleatorio (random): cada posición direccionable de memoria tiene un único mecanismo de acceso cableado físicamente. • El tiempo para acceder a una posición dada es constante e independiente de la secuencia de accesos previos. • Cualquier dirección puede seleccionarse aleatoriamente y ser direccionada y accedida directamente. • Ej. Memoria principal y cache

Método de acceso (3) • Asociativa: es del tipo de acceso aleatorio que permite hacer una comparación de ciertas posiciones de bits dentro de una palabra buscando que coincidan con unos valores dados y hacer esto para todas las palabras simultáneamente. • Una palabra es recuperada en base a una porción de su contenido en lugar de su dirección. • Ej. Memorias cache – Desde el punto de vista del usuario: las dos características mas importantes son: su capacidad y sus prestaciones.

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Prestaciones (1) • Se utilizan tres parámetros de medida para evaluar las prestaciones. – Tiempo de acceso (latencia): para memorias de acceso aleatorio es el tiempo que tarda en realizarse una operación de escritura o lectura. – Tiempo que transcurre desde que se presenta una dirección a la memoria hasta que el dato, o ha sido memorizado o esta disponible para su uso. – Para otro tipo de memorias, es el tiempo que se tarde en situar el mecanismo de lectura/escritura en la posición adecuada.

Prestaciones (2) • Se utilizan tres parámetros de medida para evaluar las prestaciones. – Tiempo de ciclo de memoria: Se aplica a memorias aleatorias. Consiste en el tiempo de acceso y algún tiempo mas que se requiere antes de que pueda iniciarse un segundo acceso a memoria. – Es necesario para finalizar las transiciones en las líneas de señal o para regenerar datos en lecturas destructivas. – Depende de las características del bus del sistema y no del procesador.

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Prestaciones (3) • Se utilizan tres parámetros de medida para evaluar las prestaciones. – Velocidad de transferencia: es la velocidad a la que se pueden transferir datos a, o desde, una unidad de memoria. Para memorias de acceso aleatorio coincide con el inverso del tiempo de ciclo.

Soportes Físicos • Las mas comunes en la actualidad son las memorias: – Semiconductoras, – Las memorias de superficies magnéticas, utilizadas para discos y cintas, – Y las memorias ópticas y magneto-ópticas.

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Características físicas • Memorias volátiles: la información se va perdiendo o desaparece cuando se desconecta la alimentación. • Memorias no Volátiles: la información permanece hasta que se modifique intencionalmente. No necesita fuente de alimentación para retener información. Ej. Memorias de superficie magnética. • Memorias no borrables: no pueden modificarse a menos que se destruya la unidad. Las memorias semiconductoras de este tipo, se las conoce como memorias de solo lectura (ROM, Read Only Memory).

ORGANIZACION – En memorias de acceso aleatorio, su organización es un aspecto clave de diseño. – Disposición o estructura física en bits para formar palabras.

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Memoria • Velocidad del procesador: se duplica cada 18 meses (sin variar su precio) la cantidad de instrucciones ejecutadas por segundo. • Memoria: se cuadruplica su tamaño cada 36 meses (al mismo precio). Velocidad aumenta a razón de un 10% anual. • Para conseguir prestaciones óptimas, la memoria debe seguir al procesador.

Memoria (2) • A medida que aumenta la brecha entre las velocidades del procesador y de la memoria, las distintas arquitecturas buscan tender un puente sobre esta brecha. • Una computadora típica suele tener distintos tipos de memoria, desde una rápida y cara (registros) hasta una barata y lenta (discos).

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Memoria (3) • La interacción entre los diferentes tipos de memoria se aprovecha de forma tal que se logra un comportamiento, por parte de la computadora, equivalente al que tendría con una memoria única, grande y rápida, cuando en realidad tiene distintos tipos de memoria trabajando en forma coordinada.

Jerarquía de memorias (1) • Las restricciones de diseño de un computador se pueden resumir en tres cuestiones: • Cuanta capacidad? • Como de rápida? • Cuando el procesador ejecuta instrucciones que tenga que detenerse a esperar instrucciones y operandos • Con que costo? Debe ser razonable en relación a los otros componentes.

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Jerarquía de memorias(2) • La forma en que se organizan los distintos tipos de memoria es lo que se conoce como jerarquía de memoria. • En la cima de la jerarquía están los registros. En la base, las memorias secundarias (discos magnéticos) y de almacenamiento “off line” (CD, DVD, cintas).

Jerarquía de memorias (2)

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Jerarquía de memorias (3) • A medida que ascendemos tenemos mayor rendimiento y más costo por bit. Entre la memoria principal y la secundaria hay otro tipo de memoria para salvar la brecha. • Cuando ascendemos, también aumenta la frecuencia de accesos a ese tipo de memoria.

Jerarquía de memorias (4) • Memoria del computador : – Tecnologías diferentes – Fundamentos físicos distintos – Localización en lugares distintos

Objetivo : – Capacidad de almacenamiento – Tiempo de acceso reducido

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Jerarquía de memorias (4)

Jerarquía de memorias (5) • Registros, Cache y Memoria principal: – Normalmente volátiles y de tecnología semiconductora.

• Las formas de almacenamiento mas permanentes: – Dispositivos de memoria masiva – Memorias externas: son no volátiles y se utilizan para almacenar ficheros de datos y programas. – Suelen estar visibles al programador en términos de registros y ficheros. – Disco: se emplea para una ampliación de la memoria principal conocida como memoria virtual

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Memoria Principal semiconductora: Organización (1) • •

El elemento básico de una memoria semiconductora es la celda de memoria. Todas las celdas de memoria de semiconductor comparten 3 propiedades:

1. Dos estados estables: para representar al uno (1) y al cero (0). 2. Se puede escribir en ellas, al menos una vez 3. Se pueden leer para conocer el estado.

Organización (2) • En general la celda tiene 3 terminales funcionales capaces de llevar una señal eléctrica: – 1. Selección: selecciona una celda de memoria – 2. Control: especifica lectura ó escritura – 3.1.Escritura: Proporciona la señal que fija el estado de la celda a 0 o 1. – 3.2 Lectura de datos: El tercer terminal se utiliza como salida del estado de la celda.

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Organización (3)

Funcionamiento de una celda de memoria

Memoria Principal semiconductora • De acceso aleatorio: Las palabras individuales de memoria son accedidas directamente mediante lógica de direccionamiento cableada interna. • RAM (Random Access Memory). • Es volatil. Solo como almacenamiento temporal. • Es posible leer datos como escribir rápidamente nuevos datos en ellas. Estas operaciones se ejecutan mediante señales eléctricas. • Las dos formas tradicionales son: – (SRAM) Basada en flip flops: memoria estática – (DRAM) Basada en transistores: memoria dinámica • Cargas almacenadas en transistores (capacitores)

– El acceso a las ROM también es de éste tipo

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RAM dinámica • DRAM: • Almacenan los datos como cargas eléctricas en condensadores. • La presencia o ausencia de carga en un condensador se interpreta como el uno o el cero binario. • Los condensadores tienden a descargarse • DRAM hay que “refrescarla” – Dinámica: refiere a esta tendencia a que la carga almacenada se pierda incluso manteniéndola siempre alimentada. – Usada como memoria principal

RAM estática • SRAM: • Es un dispositivo digital, basado en los mismos elementos que usa el procesador. • Los valores binarios se almacenan utilizando configuraciones de puertas que forman biestables • En tanto se mantenga alimentada retendrá sus datos. • No necesita “refrescos”

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Celda de memoria

Circuitos de memoria SRAM. Se representa como un flip-flop D. Existe una línea de datos (bidireccional )

SRAM v DRAM • Ambas son volatiles. – Debe aplicarse continuamente tensión de alimentaciòn para mantener los valores de los bits

• DRAM: Dynamic cell – Mas simple de construir, mas pequeña – Mas densas (celdas mas pequeñas = mas celdas por unidad de superficie). – Menos caras – Necesita circuiteria para realizar el refresco. – Son las preferidas para memorias grandes.

• Static ( SRAM) – Un poco mas rapidas. – Se utilizan como memorias Cache

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ROM (1) • Contiene un patrón permanente de datos que no puede alterarse. • No requiere fuente de alimentacion para mantener memorizados los valores de los bits. • Es posible leer de una ROM pero no escribir datos en ella. • Se utiliza en microprogramación. • Subrutinas de biblioteca para funciones de uso frecuente • Programas del sistema • Tablas de funciones

ROM (2) • Para tamaños modestos: la ventaja es que el programa o los datos estarian permanente en memoria principal • No seria necesario cargarlos desde dispositivos secundarios. • Una ROM se construye como cualquier chip de circuito integrado, con los datos cableados durante el proceso de fabricación.

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Tipos de ROM (1) • PROM: ROM programable, es mas económica • Son no volátiles y pueden grabarse solo una vez. • El proceso de escritura se lleva a cabo electricamente y puede realizarlo el suministrador o el cliente luego de fabricado el chip original. • Proporcionan flexibilidad y comodidad • Otra variante: EPROM y EEPROM y memorias flash

Tipos de ROM (2) • EPROM: memoria se solo lectura programable y borrable opticamente. • Se lee y escribe eléctricamente como la PROM. • Antes de la escritura, todas las celdas deben borrarse a la vez. Mediante la exposición del chip encapsulado a radiación ultravioleta. • Se puede realizar el borrado multiples veces. • Cada operación de borrado puede durar hasta 20 minutos. • Retiene su contenido teóricamente indefinidamente. • En comparación con una PROM de igual capacidad es mas costosa. • Ventaja adicional: Es posible actualizar multiples veces su contenido.

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Tipos de ROM (3) • EEPROM: Memoria de solo lectura programable y borrable electricamente. • Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory. • Se puede escribir en cualquier momento sin borrar su contenido anterior. • Solo se actualiza el byte o bytes direccionados. • La operacion de lectura es mas ràpida que la de escritura • Es no volátil y es mas flexible al permitir ser actualizable in situ. • Son mas costosas que las EPROM y menos densas, admitiendo menos bits por chips.

Tipos de ROM (4) • Memoria flash: ( denominada así por la velocidad con que la puede reprogramarse). • Utilizan tecnologia de borrado electrico • Puede entera en uno o varios segundos,mucho mas rapido que la EPROM. • Se pueden borrar solo bloques en lugar de todo el chip

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Organización de la memoria • Las memorias semiconductoras vienen en chips encapsulados. • Cada chip contiene una matriz de celdas de memoria. • Aspecto fundamental de diseño: nro. de bits de datos que pueden ser leídos/escritos a la vez. • En un extremo esta la estructura en que la disposición físicas de las celdas de la matriz es igual que la lógica. de las palabras de memoria. • La matriz esta organizada en W palabras de B bits cada una. • Otro extremo: estructura llamada un bit-por-chip, los datos se leen/escriben por bits.

Organización típica de DRAM de 16 MB RAS. Selección de dirección de fila CAS. Selección de dirección de columna. WE. Terminal de habilitación de escritura OE: Terminal de habilitación de salida

D1 a D4, líneas salida y entrada a y desde buffer

En esta DRAM se escriben o leen solo 4 bits, debe haber varias DRAM conectadas al controlador de memoria a fin de escribir/leer una palabra de datos en el bus.

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Organización típica de DRAM de 16 MB RAS. Selección de dirección de fila CAS. Selección de dirección de columna. WE. Terminal de habilitación de escritura OE: Terminal de habilitación de salida

D1 a D4, líneas salida y entrada a y desde buffer

En esta DRAM se escriben o leen solo 4 bits, debe haber varias DRAM conectadas al controlador de memoria a fin de escribir/leer una palabra de datos en el bus.

Organización típica de DRAM de 16 MB •En la figura anterior el uso de direccionamiento multiplexado y de matrices cuadradas da lugar a que el tamaño del memoria se cuadriplique con cada nueva generación de chips. •Se indica también la inclusión de circuitería de refresco. •Una técnica simple es: inhabilitar el chip DRAM mientras se refrescan todas las celdas. El contador de refresco recorre todos los valores de fila. •Para cada fila las salidas de dicho contador se conectan al decodificador de filas y se activa la línea RAS. •Los datos correspondientes se leen y escriben de nuevo en las mismas posiciones. Así se refrescan todas las celdas de una fila a la vez.

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Organización avanzada de DRAM •SDRAM: DRAM síncrona •DDR_RAM: SDRAM de doble velocidad. •RDRAM Rambus: Adoptada por Intel para sus procesadores Pentium e Itanium. •Ambas implican el uso del reloj del sistema para facilitar la transferencia de bloques de datoss.

Synchronous DRAM (SDRAM) • • • •

Access is synchronized with an external clock Address is presented to RAM RAM finds data (CPU waits in conventional DRAM) Since SDRAM moves data in time with system clock, CPU knows when data will be ready • CPU does not have to wait, it can do something else • Burst mode allows SDRAM to set up stream of data and fire it out in block • DDR-SDRAM sends data twice per clock cycle (leading & trailing edge)

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RAMBUS • • • • •

Adopted by Intel for Pentium & Itanium Main competitor to SDRAM Vertical package – all pins on one side Data exchange over 28 wires < cm long Bus addresses up to 320 RDRAM chips at 1.6Gbps • Asynchronous block protocol – 480ns access time – Then 1.6 Gbps

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Organización del chip • Cada chip contiene un arreglo de celdas de memoria. • En las memorias de semiconductor se han empleado dos enfoques organizacionales: 2D y 2½D.

Organización 2D • El arreglo está organizado en 2W palabras de B bits cada una. Cada línea horizontal (una de 2W) se conecta a cada posición de memoria, seleccionando un renglón. • Las líneas verticales conectan cada bit a la salida. • El decodificador que está en el chip, tiene 2W salidas para W entradas (bits del bus de direcciones).

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Organización 2D (2)

Organización 2D (3)

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Organización 2½D • El arreglo es “cuadrado” y funciona igual que 2D. • Los bits de una misma palabra están dispersos en distintos chips. • La dirección se divide en dos partes: una selección de renglón y una selección de columna. Hay 2 decodificadores.

Organización 2½D (2)

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Comparación • En 2D todos los bits están en el mismo chip. • En 2½D los bits de una misma palabra estarán en distintos chips. • 2D es muy larga y estrecha, No grande de palabras de pocos bits. Cada línea de selección de palabra tiene que tener un manejador y conectarse al decodificador. Ocupan mucha superficie.

Comparación (2) • 2D dificulta el uso eficaz de los circuitos correctores de error. En 2½D al estar los bits dispersos en distintos chips hay menor probabilidad de error. • En 2½D al usar decodificación separada de filas y columnas, reduce la complejidad de los decodificadores.

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Problema 1 • Cada módulo de memoria cubre el espacio de direccionamiento requerido, pero sólo cubre una parte de la palabra. • Solución: usar varios módulos “en paralelo”. • Ver figura siguiente.

Memoria: 4 palabras x 8 bits

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Problema 2 • La longitud de la palabra es la deseada, pero los módulos no tienen la capacidad deseada. • Solución: cubrir un cierto rango de direcciones con módulos de memoria “en serie”. • Cada módulo “estará” en direcciones distintas. • Ver figura siguiente.

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Nuevas tecnologías RAM • La DRAM básica es la misma desde los • primeros chips de RAM • Enhanced DRAM – Contiene pequeña SRAM – La SRAM guarda la última línea leida (como una Cache!)

• Cache DRAM – Contiene una SRAM mas grande – Se usa la SRAM como cache o como buffer serial

Nuevas tecnologías RAM (2) • Synchronous DRAM (SDRAM) – Actualmente en DIMMs – Acceso sincronizado con un reloj externo • Se presenta una dirección a la RAM • RAM encuentra los datos (y CPU esperaría la DRAM) • SDRAM mueve datos en tiempo del reloj del sistema,la CPU conoce cuando los datos estarán listos • CPU puede hacer otra cosa mientras tiene que esperar

• Modo Burst permite SDRAM trabajar en bloques

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SDRAM

mas información … • Capítulo 4: Memoria Interna – Stallings. 5ta Ed.

• Links de interés – http://www.pctechguide.com/14Memory.htm

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